檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "陳士勛".ccommittee (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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利用熱蒸鍍法經由VLS成長機制在爐管內成長硒化鋅奈米線，以硒化鋅粉末作為前驅物置於管內，2、5及10奈米金薄膜的(100)矽基板做為成長基板，利用金顆粒作為成核催化點，使奈米線經由VLS成長機制生長…
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二氧化錫(SnO2)是一種知名的n-type半導體其應用範圍非常廣泛，而其奈米線(nanowires)由於擁有一維奈米材料的特殊性質非常適合進行研究，本實驗的二氧化錫奈米線是藉由熱蒸鍍法(therm…
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在此篇研究中，利用熱蒸鍍法經由VLS及VS成長機制在爐管內擺放鍍上金膜的矽基板上成長氧化鋅奈米線，而氧化鋅粉混合碳粉當作前驅物。藉由控制成長溫度、前驅物溫度、成長壓力、前驅物的量、成長時間、成長位置…
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本研究主要分別以2:3與1:1兩部份的銦硒系統探討。第一部份，以高均勻性金奈米粒子催化的In2Se3奈米線透過氣-液-固（VLS）機制的快速熱退火（RTA）處理成長。利用金奈米顆粒催化成長In2Se…
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許多合成奈米材料的溶液系統中，定向附著成長機制已經被發現，然而，這樣的生長機制尚未在氣相沉積二維奈米材料系統中被探討。此研究中，利用硫與錫粉末成長二硫化錫奈米薄片，自不同的生長階段焠火以探討其生長機…
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